Crystal facet engineering in Ga-doped ZnO nanowires for Mid-IR plasmonics - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Crystal facet engineering in Ga-doped ZnO nanowires for Mid-IR plasmonics

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02010197 , version 1 (06-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02010197 , version 1

Citer

Vincent Sallet, Corinne Sartel, Said Hassani, G. Amiri, Alain Lusson, et al.. Crystal facet engineering in Ga-doped ZnO nanowires for Mid-IR plasmonics. TCM2018, Oct 2018, Crete, Greece. ⟨hal-02010197⟩
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