Design of 65-nm CMOS Transformer-Based Impedance Matching for LTE Power Amplifier Applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Design of 65-nm CMOS Transformer-Based Impedance Matching for LTE Power Amplifier Applications

Giap Luong
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Eric Kerherve
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Jean Marie Pham
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 863143
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Pierre Medrel
Systèmes RF

Domaines

Electronique

Jean Marie Pham  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02009422

Soumis le : mercredi 6 février 2019-12:50:27

Dernière modification le : vendredi 8 mars 2024-10:16:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02009422 , version 1 (06-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02009422 , version 1

Citer

Giap Luong, Eric Kerherve, Jean Marie Pham, Pierre Medrel. Design of 65-nm CMOS Transformer-Based Impedance Matching for LTE Power Amplifier Applications. ICECS, Dec 2018, Bordeaux, France. ⟨hal-02009422⟩

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