Geometrical Magnetoresistance in Multi-Gate FDSOI Structures

C. Navarro (1) , S.-J. Chang (2) , M. Bawedin (1, 3) , F. Andrieu (4) , B. Sagnes (1, 3) , S. Cristoloveanu (5)

1 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
2 Department of Electrical Engineering [Yale University]
3 M@CSEE - Micro électronique, Composants, Systèmes, Efficacité Energétique
4 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
5 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

The geometrical magnetoresistance in advanced planar and 3D multi-gate FDSOI transistors is addressed. The strong dependence of the magnetoresistance mobility on the device architecture, size and magnetic field orientation is analyzed and discussed with the help of numerical simulations.

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

C. Navarro, S.-J. Chang, M. Bawedin, F. Andrieu, B. Sagnes, et al.. Geometrical Magnetoresistance in Multi-Gate FDSOI Structures. ECS Transactions, 2015, 66 (5), pp.251-258. ⟨10.1149/06605.0251ecst⟩. ⟨hal-02007754⟩