Article Dans Une Revue
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Année : 2019
Michel Aillerie : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02005255
Soumis le : dimanche 3 février 2019-21:47:04
Dernière modification le : dimanche 14 janvier 2024-17:56:03
Citer
Rabeb Belghouthi, Michel Aillerie, Amani Rached, Houcine Mejri. Effect of temperature on electronic and electrical behavior of InGaN double hetero-junction p-i-n solar cells. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, pp.1-7. ⟨10.1007/s10854-019-00714-5⟩. ⟨hal-02005255⟩
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