Article Dans Une Revue
Applied Surface Science
Année : 2018
JULIEN PERNOT : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01977954
Soumis le : vendredi 11 janvier 2019-10:58:12
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:33:36
Citer
J. Cañas, J. Piñero, F. Lloret, M. Gutierrez, T. Pham, et al.. Determination of alumina bandgap and dielectric functions of diamond MOS by STEM-VEELS. Applied Surface Science, 2018, 461, pp.93-97. ⟨10.1016/j.apsusc.2018.06.163⟩. ⟨hal-01977954⟩
39
Consultations
0
Téléchargements