Molecular beam epitaxial growth and characterization of Al(Ga)N nanowire deep ultraviolet light emitting diodes and lasers

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Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2016, 49 (36), pp.364006
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Contributeur : Matthieu Bugnet <>
Soumis le : mardi 8 janvier 2019 - 11:32:49
Dernière modification le : lundi 4 mars 2019 - 14:04:17

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  • HAL Id : hal-01973292, version 1

Citation

Z Mi, Z. Zhao, S Woo, M. Bugnet, M Djavid, et al.. Molecular beam epitaxial growth and characterization of Al(Ga)N nanowire deep ultraviolet light emitting diodes and lasers. Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2016, 49 (36), pp.364006. 〈hal-01973292〉

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