Self-Assembled UV Photodetector Made by Direct Epitaxial GaN Growth on Graphene

Timotée Journot (1) , Vincent Bouchiat (2) , Bruno Gayral (3) , Jean Dijon (4) , Bérangère Hyot (1)

1 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 NEEL - Quan2m - Interactions modulables dans des états quantiques 2D
3 NPSC - Nanophysique et Semiconducteurs
4 DTNM - Département des Technologies des Nouveaux Matériaux (Ex Département des Technologies des NanoMatériaux)

Domaines: Physique [physics]

Timotée Journot, Vincent Bouchiat, Bruno Gayral, Jean Dijon, Bérangère Hyot. Self-Assembled UV Photodetector Made by Direct Epitaxial GaN Growth on Graphene. ACS Applied Materials & Interfaces, 2018, 10 (22), pp.18857-18862. ⟨10.1021/acsami.8b01194⟩. ⟨hal-01971568⟩