Intrinsic Mismatch Between Floating-Gate Nonvolatile Memory Cell and Equivalent Transistor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2007
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01959438 , version 1 (18-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01959438 , version 1

Citer

Russell Duane, Quentin Rafhay, M. Florian Beug, Michiel van Duuren. Intrinsic Mismatch Between Floating-Gate Nonvolatile Memory Cell and Equivalent Transistor. IEEE Electron Device Letters, 2007, 28 (5), pp.440-442. ⟨hal-01959438⟩
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