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Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Full-Band modelling of phonons in polytype Ge and Si

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique Thermique [physics.class-ph]

Jérôme Saint-Martin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01951995

Soumis le : mercredi 17 juillet 2019-16:46:10

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08

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Dates et versions

hal-01951995 , version 1 (17-07-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01951995 , version 1

Citer

J. Larroque, P. Dollfus, Jérôme Saint-Martin. Full-Band modelling of phonons in polytype Ge and Si. 20th International Conference on Electron Dynamics In Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 20), Jul 2017, Buffalo, NY, United States. pp.012007. ⟨hal-01951995⟩

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