Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2013
Jérôme Saint-Martin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01951940
Soumis le : mardi 11 décembre 2018-17:24:03
Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-10:30:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01951940 , version 1
Citer
Alfonso Alarcón, Viet-Hung Nguyen, Salim Berrada, Damien Querlioz, Jérôme Saint-Martin, et al.. Pseudosaturation and Negative Differential Conductance in Graphene Field-Effect Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (3), pp.985-991. ⟨hal-01951940⟩
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