Relaxation of low mismatched semiconducting layers by misfit dislocations : models and observations

B. Pichaud; Magali Putero; N. Burle

doi:10.1051/jp4:1998428

Article Dans Une Revue Journal de Physique IV Proceedings Année : 1998

Relaxation of low mismatched semiconducting layers by misfit dislocations : models and observations

, (1) , (1)

1

B. Pichaud

Fonction : Auteur

Magali Putero

Fonction : Auteur
PersonId : 170674
IdHAL : magali-putero
ORCID : 0000-0001-6527-4334
IdRef : 231973950

Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

N. Burle

Fonction : Auteur

Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence

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Matériaux

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https://hal.science/hal-01951287

Soumis le : mardi 11 décembre 2018-12:28:12

Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07

Dates et versions

hal-01951287 , version 1 (11-12-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01951287 , version 1
DOI : 10.1051/jp4:1998428

Citer

B. Pichaud, Magali Putero, N. Burle. Relaxation of low mismatched semiconducting layers by misfit dislocations : models and observations. Journal de Physique IV Proceedings, 1998, 08 (PR4), pp.Pr4-227-Pr4-236. ⟨10.1051/jp4:1998428⟩. ⟨hal-01951287⟩

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