Formation of C49-TiSi2 in flash memories : a nucleation controlled phenomenon ?

Dominique Mangelinck (1) , P. Gas (2) , T. Badéche , E. Taing , F. Nemouchi (3) , C. Perrin-Pellegrino (1) , Magali Putero (1) , S. Niel (4) , P. Fornara (5) , J. M. Mirabel , L. Fares , P. H. Albarede

1 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
2 L2MP - Laboratoire matériaux et microélectronique de Provence
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
5 ST Microlectronics

Domaines: Matériaux

Dominique Mangelinck, P. Gas, T. Badéche, E. Taing, F. Nemouchi, et al.. Formation of C49-TiSi2 in flash memories : a nucleation controlled phenomenon ?. Microelectronic Engineering, 2003, 70, pp.220-225. ⟨10.1016/S0167-9317(03)00435-0⟩. ⟨hal-01951275⟩