In situ study of the growth kinetics and interfacial roughness during the first stages of nickel-silicide formation

L. Ehouarne , Magali Putero (1) , Dominique Mangelinck (1) , F. Nemouchi (2) , T. Bigault (3) , E. Ziegler , R. Coppard

1 IM2NP - Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
2 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
3 ILL - Institut Laue-Langevin

Domaines: Matériaux

L. Ehouarne, Magali Putero, Dominique Mangelinck, F. Nemouchi, T. Bigault, et al.. In situ study of the growth kinetics and interfacial roughness during the first stages of nickel-silicide formation. Microelectronic Engineering, 2006, 83 (11-12), pp.2253-2257. ⟨10.1016/j.mee.2006.10.014⟩. ⟨hal-01951272⟩