Epitaxy of BaTiO3 thin film on Si(001) using a SrTiO3 buffer layer for non-volatile memory application - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2011

Epitaxy of BaTiO3 thin film on Si(001) using a SrTiO3 buffer layer for non-volatile memory application

G. Niu
  • Fonction : Auteur
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
S. Yin
  • Fonction : Auteur
Guillaume Saint-Girons
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
CV
B. Gautier
  • Fonction : Auteur
INL - Dispositifs Electroniques
P. Lecoeur
  • Fonction : Auteur
IEF
V. Pillard
  • Fonction : Auteur
Institut d'électronique fondamentale
G. Hollinger
  • Fonction : Auteur
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
B. Vilquin
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
CV

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Guillaume Saint-Girons  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01939990

Soumis le : jeudi 29 novembre 2018-20:18:07

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01939990 , version 1 (29-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01939990 , version 1

Citer

G. Niu, S. Yin, Guillaume Saint-Girons, B. Gautier, P. Lecoeur, et al.. Epitaxy of BaTiO3 thin film on Si(001) using a SrTiO3 buffer layer for non-volatile memory application. Microelectronic Engineering, 2011, 88 (7), pp.1232-1235. ⟨hal-01939990⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-LYON1 INSA-LYON EC-LYON INL UNIV-PARIS-SACLAY INSA-GROUPE UDL EC_LYON_STRICT
39 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More