Molecular beam epitaxial growth of BaTiO3 single crystal on Ge-on-Si(001) substrates

C. Merckling; Guillaume Saint-Girons; C. Botella; G. Hollinger; M. Heyns; J. Dekoster; M. Caymax

Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2011

Molecular beam epitaxial growth of BaTiO3 single crystal on Ge-on-Si(001) substrates

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C. Merckling

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Guillaume Saint-Girons

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PersonId : 20810
IdHAL : guillaume-saint-girons
ORCID : 0000-0002-3669-3406
IdRef : 071451595

INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures

CV

C. Botella

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INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures

G. Hollinger

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M. Heyns

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J. Dekoster

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M. Caymax

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Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Guillaume Saint-Girons : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : jeudi 29 novembre 2018-20:15:11

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08

Dates et versions

hal-01939987 , version 1 (29-11-2018)

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Citer

C. Merckling, Guillaume Saint-Girons, C. Botella, G. Hollinger, M. Heyns, et al.. Molecular beam epitaxial growth of BaTiO3 single crystal on Ge-on-Si(001) substrates. Applied Physics Letters, 2011, 98 (9), pp.092901. ⟨hal-01939987⟩

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