Origin of the bimodal distribution of low-pressure metal-organic-vapor-phase-epitaxy grown InGaAs/GaAs quantum dots - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2002

Origin of the bimodal distribution of low-pressure metal-organic-vapor-phase-epitaxy grown InGaAs/GaAs quantum dots

G. Saint-Girons
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
CV
G. Patriarche
Laboratoire de photonique et de nanostructures
A. Mereuta
  • Fonction : Auteur
I. Sagnes
Laboratoire de photonique et de nanostructures

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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https://hal.science/hal-01939863

Soumis le : jeudi 29 novembre 2018-18:56:14

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Identifiants

  • HAL Id : hal-01939863 , version 1

Citer

G. Saint-Girons, G. Patriarche, A. Mereuta, I. Sagnes. Origin of the bimodal distribution of low-pressure metal-organic-vapor-phase-epitaxy grown InGaAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, 2002, 91 (6), pp.3859-3863. ⟨hal-01939863⟩

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