1.3 μm electroluminescence of LP-MOVPE grown InAs/GaAs quantum dots, and influence of the re-growth temperature on the spectral response - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science and Engineering: B Année : 2000

1.3 μm electroluminescence of LP-MOVPE grown InAs/GaAs quantum dots, and influence of the re-growth temperature on the spectral response

Guillaume Saint-Girons
INL - Hétéroepitaxie et Nanostructures
CV
A Mereuta
  • Fonction : Auteur
G Gérard
  • Fonction : Auteur
A. Ramdane
  • Fonction : Auteur
I. Sagnes
Laboratoire de photonique et de nanostructures

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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https://hal.science/hal-01939849

Soumis le : jeudi 29 novembre 2018-18:45:26

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Dates et versions

hal-01939849 , version 1 (29-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01939849 , version 1

Citer

Guillaume Saint-Girons, A Mereuta, G Gérard, A. Ramdane, I. Sagnes. 1.3 μm electroluminescence of LP-MOVPE grown InAs/GaAs quantum dots, and influence of the re-growth temperature on the spectral response. Materials Science and Engineering: B, 2000, 78 (2-3), pp.145-147. ⟨hal-01939849⟩

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