p-Type Doping of 4H- and 3C-SiC Epitaxial Layers with Aluminum - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

p-Type Doping of 4H- and 3C-SiC Epitaxial Layers with Aluminum

Marc Zielinski
  • Fonction : Auteur
Savoie Technolac
Roxana Arvinte
Thierry Chassagne
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860781
NOVASiC
Adrien Michon
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Marc Portail
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications
Pawel Kwasnicki
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Charles Coulomb
Leszek Konczewicz
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 861730
Laboratoire Charles Coulomb
Sylvie Contreras
Laboratoire Charles Coulomb
CV
Sandrine Juillaguet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 839245
Laboratoire Charles Coulomb
Hervé Peyre
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860706
Laboratoire Charles Coulomb

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Sandrine Juillaguet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01936467

Soumis le : mardi 27 novembre 2018-14:13:44

Dernière modification le : vendredi 1 mars 2024-18:20:03

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01936467 , version 1 (27-11-2018)

Identifiants

Citer

Marc Zielinski, Roxana Arvinte, Thierry Chassagne, Adrien Michon, Marc Portail, et al.. p-Type Doping of 4H- and 3C-SiC Epitaxial Layers with Aluminum. ICSCRM, Oct 2015, Giardini Naxos, France. pp.137 - 142, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.858.137⟩. ⟨hal-01936467⟩

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