TCAD prediction of dose effects on MOSFETs with ECORCE

A. Michez (1) , J. Boch (1, 2) , J. Dardié , Frédéric Wrobel (1, 2) , Antoine Touboul (1, 2) , T. Maraine , F. Saigné (1, 2) , E. Lorfèvre , F. Bezerra

1 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
2 RADIAC - Radiations et composants

Domaines: Electronique

A. Michez, J. Boch, J. Dardié, Frédéric Wrobel, Antoine Touboul, et al.. TCAD prediction of dose effects on MOSFETs with ECORCE. IEEE RADECS, 2017, Genève, Switzerland. ⟨hal-01929250⟩