Reliability and Qualification Tests for High-Power MOSFET Transistors - Archive ouverte HAL

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Chapitre D'ouvrage Année : 2017

Reliability and Qualification Tests for High-Power MOSFET Transistors

(1) , (1) , (1) , (1)

1

Niemat Moultif

Fonction : Auteur
PersonId : 750874
IdHAL : moultif
ORCID : 0000-0002-9765-2106
IdRef : 223732303

Groupe de physique des matériaux

Mohamed Lamine Masmoudi

Fonction : Auteur
PersonId : 175174
IdHAL : mohamed-masmoudi
IdRef : 158684656

Groupe de physique des matériaux

Eric Joubert

Fonction : Auteur
PersonId : 175065
IdHAL : eric-joubert
ORCID : 0000-0001-6585-4603
IdRef : 083021450

Groupe de physique des matériaux

O. Latry

Fonction : Auteur
PersonId : 175169
IdHAL : olivierl
ORCID : 0000-0002-2121-8864
IdRef : 151805482

Groupe de physique des matériaux

Domaines

Physique [physics]

Etienne Talbot : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01927246

Soumis le : lundi 19 novembre 2018-17:00:07

Dernière modification le : mercredi 3 avril 2024-10:20:12

Dates et versions

hal-01927246 , version 1 (19-11-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01927246 , version 1
DOI : 10.1016/b978-1-78548-261-8.50005-x

Citer

Niemat Moultif, Mohamed Lamine Masmoudi, Eric Joubert, O. Latry. Reliability and Qualification Tests for High-Power MOSFET Transistors. Reliability of High-Power Mechatronic Systems 2, Elsevier, pp.155--197, 2017, ⟨10.1016/b978-1-78548-261-8.50005-x⟩. ⟨hal-01927246⟩

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