Low frequency noise in p-InAsSbP/n-InAs  photodiodes

M.A. Remennyi; N. Dyakonova; M.E. Levinshtein; S Karandashev; B. Matveev

Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Low frequency noise in p-InAsSbP/n-InAs photodiodes

, (1) , , ,

1

M.A. Remennyi

Fonction : Auteur

N. Dyakonova

Fonction : Auteur

Laboratoire Charles Coulomb

M.E. Levinshtein

Fonction : Auteur

S Karandashev

Fonction : Auteur

B. Matveev

Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Nina Diakonova : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01926527

Soumis le : lundi 19 novembre 2018-12:17:30

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08

Dates et versions

hal-01926527 , version 1 (19-11-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01926527 , version 1

Citer

M.A. Remennyi, N. Dyakonova, M.E. Levinshtein, S Karandashev, B. Matveev. Low frequency noise in p-InAsSbP/n-InAs photodiodes. XXV International Scientific and Technical Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, May 2018, Moscow, Russia. ⟨hal-01926527⟩

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