H. Iwai, Microelectron. Eng, vol.86, pp.1520-1528, 2009.

M. Vinet, Proceedings of the VLSI-TSA Meeting, 2012.

L. Hutin, Proceedings of the IEEE International Workshop on Junction Technology, pp.7-11, 2014.

B. Colombeau, Phys. Status Solidi A, vol.211, p.101, 2014.

G. Larrieu, Proceedings of the International Electron Devices Meeting'07, pp.147-150, 2007.

F. A. Khaja, Proceedings of the AIP Conference on IIT, p.42, 1496.

R. Duffy, M. J. Van-dal, B. J. Pawlak, M. Kaiser, R. G. Weemaes et al., Appl. Phys. Lett, vol.90, p.241912, 2007.

M. Togo, IEEE VLSI Conference, p.196, 2013.

W. Vandervorst, Proceedings of the AIP Conference Proceedings on IIT , 1066, p.449, 2008.

N. Horiguchi, Proceedings of the IEEE International Workshop on Junction Technology, pp.3-5, 2012.

J. Duchaine, Proceedings of the AIP Conference on IIT, p.71, 1496.

F. Gonzatti, F. Milési, V. Delaye, J. Duchaine, F. Torregrosa et al., Proceedings of the AIP on IIT10, p.27, 2010.

Y. Sasaki, J. Appl. Phys, vol.111, p.13712, 2012.

J. W. Lee, Appl. Phys. Lett, vol.102, p.223508, 2013.

G. Zschatzsch, IEEE IEDM Technical Digest, p.841, 2011.

F. Roy, Phys. Status Solidi C, vol.11, p.50, 2014.

J. Appenzeller, J. Knoch, M. T. Björk, H. Riel, H. Schmid et al., IEEE Trans. Electron Dev, vol.55, p.2827, 2008.

D. E. Perea, Nat. Nanotechnol, vol.4, p.315, 2009.

E. C. Garnett, Nat. Nanotechnol, vol.4, p.311, 2009.

J. C. Ho, Nano Lett, vol.9, p.725, 2009.

R. A. Puglisi, C. Garozzo, C. Bongiorno, S. Difranco, M. Italia et al., Solar Energy Mat. & Solar Cells, vol.132, p.118, 2015.

W. Paschoal, Nano Lett, vol.12, p.4838, 2012.

V. Scmhidt, Adv. Mater, vol.21, p.1, 2009.

C. Ronning, Mater. Sci. Eng. R, vol.70, p.30, 2010.

G. Larrieu and X. L. Han, Nanoscale, vol.5, pp.2437-2441, 2013.

A. Colli, A. Fasoli, C. Ronning, S. Pisana, S. Piscanec et al., Nano Lett, vol.8, p.2188, 2008.

A. T. Fiory and K. K. Bourdelle, Appl. Phys. Lett, vol.74, p.2658, 1999.

Y. Takamura, S. H. Jain, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, J. Appl. Phys, vol.92, p.230, 2002.

E. V. Monakhov, B. G. Svensson, M. K. Linnarsson, A. L. Magna, V. Privitera et al., Mater. Sci. Eng. B, vol.114, p.352, 2004.

S. W. Do, S. H. Kong, Y. H. Lee, J. G. Oh, J. K. Lee et al., J. Korean Phys. Soc, vol.55, p.1065, 2009.

A. T. Voutsas and M. K. Hatalis, Technology of polysilicon thin-film transistors, Thin Film Transistors, pp.139-207, 2003.

G. Lorito, V. Gonda, S. Liu, T. L. Scholtes, H. Schellevis et al., Proceedings of the IEEE 2006 International Conference on Microelectronics, MIEL, vol.25, p.342, 2006.

H. Bourdon, A. Halimaoui, J. Venturini, F. Gonzatti, and D. Dutartre, 15th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, p.275, 2007.

K. Huet, Proceedings of the 19th International Conference on Ion Implementation Technology, AIP Conference Proceeding, pp.135-138, 1496.

B. Rajendran, R. S. Shenoy, M. O. Thompson, and R. F. Pease, Proceedings of the 2004 VLSI Multilevel Interconnection Conference, 2004.

P. Batude, M. Vinet, B. Previtali, C. Tabone, C. Xu et al.,

C. Fenouillet-beranger, B. Previtali, P. Batude, F. Nemouchi, M. Cassé et al., IEDM, p.110, 2014.

G. Fisicaro, L. Pelaz, M. Aboy, P. Lopez, M. Italia et al., App. Phys. Express, vol.7, p.21301, 2014.

Y. Qiu, F. Cristiano, K. Huet, F. Mazzamuto, G. Fisicaro et al., Nano Lett, vol.14, p.1769, 2014.

F. Cristiano, Y. Qiu, E. Bedel-pereira, K. Huet, F. Mazzamuto et al.,

M. Magna, N. Quillec, H. Cherkashin, S. Wang, D. Duguay et al., Proceedings of the 14th International Workshop Junction Technology, pp.7-12, 2014.

F. Severac, F. Cristiano, E. Bedel-pereira, P. F. Fazzini, J. Boucher et al., J. Appl. Phys, vol.107, p.123711, 2010.

G. Fisicaro, K. Huet, R. Negru, M. Hackenberg, P. Pichler et al., Phys. Rev. Lett, vol.110, p.117801, 2013.

M. Hackenberg, P. Pichler, K. Huet, R. Negru, J. Venturini et al., Appl. Surf. Sci, vol.28, p.9347, 2012.

G. Fisicaro, L. Pelaz, P. Lòpez, and A. L. Magna, Phys. Rev. E, vol.86, p.36705, 2012.

A. J. Pitera and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys, vol.97, p.104511, 2005.

M. Nastasi, T. Höchbauer, J. Lee, A. Misra, J. P. Hirth et al., Appl. Phys. Lett, vol.86, p.154102, 2005.

K. Huet, G. Fisicaro, J. Venturini, H. Besaucèle, and A. L. Magna, Appl. Phys. Lett, vol.95, p.231901, 2009.

B. H. Lee, J. W. Oh, H. H. Tseng, R. Jammy, H. Huff et al., , p.32, 2006.

C. Claeys, E. Simoen, K. Opsomer, D. P. Brunco, and M. Meuris, Mater. Sci. Eng. B, vol.154, p.49, 2008.

J. Mitard, B. D. Jaeger, F. E. Leys, G. Hellings, K. Martens et al., IEDM Technical Digest, p.873, 2008.

Y. Song, H. Zhou, Q. Xu, J. Luo, H. Yin et al., J. Electron. Mater, vol.40, pp.1584-1612, 2011.

R. Milazzo, E. Napolitani, G. Impellizzeri, G. Fisicaro, S. Boninelli et al., J. Appl. Phys, vol.115, p.53501, 2014.

M. Shayesteh, D. O'connell, F. Gity, P. Murphy-armando, R. Yu et al., IEEE Trans. Electron Dev, vol.61, p.4047, 2014.

G. Faraci, S. Gibilisco, and A. R. Pennisi, Phys. Rev. B, vol.80, p.193410, 2009.

M. Wihl, M. Cardona, and J. Tauc, J. Non-Cryst. Solids, vol.8, issue.10, pp.172-178, 1972.

R. Carles, A. Mlayah, M. Amjoud, M. Amjoud, A. Reines et al., Jpn. J. Appl. Phys, vol.31, issue.11, pp.3511-3514, 1992.