In-plane InSb nanowires grown by selective area molecular beam epitaxy on semi-insulating substrate

L. Desplanque (1, 2) , Alexandre Bucamp (1, 2) , David Troadec (1, 3) , Gilles Patriarche (4) , X. Wallart (1, 2)

1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
2 EPIPHY - IEMN - EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN
3 CMNF - IEMN - Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN
4 LPN - Laboratoire de photonique et de nanostructures

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Matériaux; Micro et nanotechnologies/Microélectronique

L. Desplanque, Alexandre Bucamp, David Troadec, Gilles Patriarche, X. Wallart. In-plane InSb nanowires grown by selective area molecular beam epitaxy on semi-insulating substrate. Nanotechnology, 2018, 29 (30), ⟨10.1088/1361-6528/aac321⟩. ⟨hal-01919495⟩