Enhanced photocarrier extraction mechanisms in ultra-thin photovoltaic GaAs n/p junctions

Alexandre Freundlich , Laurent Lombez (1) , Masakazu Sugiyama (1) , Mark York (2, 3) , Francine Proulx (2, 3) , Denis Masson , Abdelatif Jaouad (2, 3) , Boussairi Bouzazi (2, 3) , Richard A Arès (4, 2, 3) , Vincent Aimez (5, 2, 3) , Simon Fafard (4, 2, 3)

1 IRDEP - Institut de Recherche et Développement sur l'Energie Photovoltaïque
2 LN2 - Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes
3 3IT - Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke]
4 UdeS - Université de Sherbrooke
5 Université de Sheerbrooke Faculty of Engineering

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

Alexandre Freundlich, Laurent Lombez, Masakazu Sugiyama, Mark York, Francine Proulx, et al.. Enhanced photocarrier extraction mechanisms in ultra-thin photovoltaic GaAs n/p junctions. SPIE OPTO, Feb 2016, San Francisco, United States. ⟨10.1117/12.2212960⟩. ⟨hal-01918141⟩