AlGaN/GaN MOS-HEMT Device Fabricated Using a High Quality PECVD Passivation Process

Ahmed Chakroun (1, 2) , Abdelatif Jaouad (1, 2) , Ali Soltani (3) , Osvaldo Arenas , Vincent Aimez (4, 1, 2) , Richard A Arès (4, 1, 2) , Hassan Maher (5, 1, 2)

1 LN2 - Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes
2 3IT - Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke]
3 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
4 UdeS - Université de Sherbrooke
5 OMMIC

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

Ahmed Chakroun, Abdelatif Jaouad, Ali Soltani, Osvaldo Arenas, Vincent Aimez, et al.. AlGaN/GaN MOS-HEMT Device Fabricated Using a High Quality PECVD Passivation Process. IEEE Electron Device Letters, 2017, 38 (6), pp.779 - 782. ⟨10.1109/LED.2017.2696946⟩. ⟨hal-01914381⟩