Graphene nanomesh transistor with high on/off ratio and good saturation behavior - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2013

Graphene nanomesh transistor with high on/off ratio and good saturation behavior

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique
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Citer

Salim Berrada, Viet Hung Nguyen, Damien Querlioz, Jérôme Saint-Martin, Alfonso Alarcón, et al.. Graphene nanomesh transistor with high on/off ratio and good saturation behavior. Applied Physics Letters, 2013, 103 (18), ⟨10.1063/1.4828496⟩. ⟨hal-01910209⟩

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