Article Dans Une Revue
Nanotechnology
Année : 2015
Jérôme Saint-Martin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01909504
Soumis le : mercredi 31 octobre 2018-11:05:19
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:08
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01909504 , version 1
- DOI : 10.1088/0957-4484/26/11/115201
Citer
V Hung Nguyen, Huy-Viet Nguyen, Jérôme Saint-Martin, P. Dollfus. Strain-induced conduction gap in vertical devices made of misoriented graphene layers. Nanotechnology, 2015, 26 (11), ⟨10.1088/0957-4484/26/11/115201⟩. ⟨hal-01909504⟩
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