THz absorbers with highly doped semiconductors based in plasmonic nano-resonators - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2017
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01905779 , version 1 (26-10-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01905779 , version 1

Citer

F. Gonzalez-Posada, F. Omeis, R. Smaali, L. Cerutti, E. Centeno, et al.. THz absorbers with highly doped semiconductors based in plasmonic nano-resonators. E-MRS Spring Meeting, 2017, Strasbourg, France. ⟨hal-01905779⟩
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