Characterization and comparison between Ig(Vgs) structures HEMT AlInN/GaN and AlGaN/GaN

N. Benyahya , H. Mazari (1) , N. Benseddik (1) , Z. Benamara (1) , M. Mostefaoui (1) , K. Ameur (1) , R. Khelifi (2) , J. Bluet (3) , W. Chikhaoui (3) , C. Bru-Chevallier (3)

1 Laboratoire de Microélectronique Appliquée
2 InESS - Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
3 INL - S&N - INL - Spectroscopies et Nanomatériaux

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]; Micro et nanotechnologies/Microélectronique

N. Benyahya, H. Mazari, N. Benseddik, Z. Benamara, M. Mostefaoui, et al.. Characterization and comparison between Ig(Vgs) structures HEMT AlInN/GaN and AlGaN/GaN. Optical and Quantum Electronics, 2014, 46 (1), pp.209 - 219. ⟨10.1007/s11082-013-9747-4⟩. ⟨hal-01901693⟩