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Communication Dans Un Congrès Année : 2017

Impact of CMOS Post Nitridation Annealing on Reliability of 40nm 512kB Embedded Flash Array

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Dates et versions

hal-01900747 , version 1 (29-07-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01900747 , version 1

Citer

Thibault Kempf, Marc Mantelli, François Maugain, Arnaud Regnier, Jean-Michel Portal, et al.. Impact of CMOS Post Nitridation Annealing on Reliability of 40nm 512kB Embedded Flash Array. 2017 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW), Oct 2017, Fallen Leaf Lake, CA, United States. ⟨hal-01900747⟩
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