Implantable In Situ Real Time Dosimetry Using GaN as Scintillation Material - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Sensor letters Année : 2011

Implantable In Situ Real Time Dosimetry Using GaN as Scintillation Material

J. Galvan
  • Fonction : Auteur
P. Pittet
G. Lu
  • Fonction : Auteur
K. Sanchez-Guerrero
  • Fonction : Auteur
J.-Y. Giraud
  • Fonction : Auteur
J. Balosso
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01886681 , version 1 (03-10-2018)

Identifiants

Citer

J. Galvan, P. Pittet, G. Lu, K. Sanchez-Guerrero, A. Ismail, et al.. Implantable In Situ Real Time Dosimetry Using GaN as Scintillation Material. Sensor letters, 2011, 9 (6), pp.2253 - 2256. ⟨10.1166/sl.2011.1784⟩. ⟨hal-01886681⟩
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