Growth of a 3C-SiC layer by carburization of silicon nanopillars

M. Ollivier; Laurence Latu-Romain; E. Latu-Romain

doi:10.1016/j.matlet.2014.11.094

Article Dans Une Revue Materials Letters Année : 2015

Growth of a 3C-SiC layer by carburization of silicon nanopillars

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M. Ollivier

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Laurence Latu-Romain

Fonction : Auteur
PersonId : 21942
IdHAL : laurence-latu-romain
ORCID : 0000-0002-9422-9636
IdRef : 117889814

Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés

E. Latu-Romain

Fonction : Auteur

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Domaines

Chimie Matériaux

Laurence LATU-ROMAIN : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01869702

Soumis le : jeudi 6 septembre 2018-16:04:24

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13

Dates et versions

hal-01869702 , version 1 (06-09-2018)

Identifiants

HAL Id : hal-01869702 , version 1
DOI : 10.1016/j.matlet.2014.11.094

Citer

M. Ollivier, Laurence Latu-Romain, E. Latu-Romain. Growth of a 3C-SiC layer by carburization of silicon nanopillars. Materials Letters, 2015, 141, pp.263 - 266. ⟨10.1016/j.matlet.2014.11.094⟩. ⟨hal-01869702⟩

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