Efficiency limit of AlGaAs solar cell modified by AlGaSb quantum dot intermediate band embedded outside the depletion region - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01862183 , version 1 (27-08-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01862183 , version 1

Citer

A. Kechiantz, A. Afanasev, J.-L. Lazzari, A. Bhouri, Y. Cuminal, et al.. Efficiency limit of AlGaAs solar cell modified by AlGaSb quantum dot intermediate band embedded outside the depletion region. 24th EUPVSEC, 2012, Frankfurt, Germany. ⟨hal-01862183⟩
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