Wet thermal oxidation of AlAsSb for lateral confinement in GaSb-based VCSELs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Wet thermal oxidation of AlAsSb for lateral confinement in GaSb-based VCSELs

Domaines

Electronique

Dauverchain Eric  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01858329

Soumis le : lundi 20 août 2018-14:35:53

Dernière modification le : mercredi 13 décembre 2023-18:06:53

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Dates et versions

hal-01858329 , version 1 (20-08-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01858329 , version 1

Citer

Youness Laaroussi, L. Cerutti, Jean-Baptiste Doucet, Paul Fadel, Guilhem Almuneau. Wet thermal oxidation of AlAsSb for lateral confinement in GaSb-based VCSELs. International Symposium on Compound Semiconductors 2011 (ISCS), May 2011, Berlin, Germany. 2p. ⟨hal-01858329⟩

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