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Conference papers

Variation de la résistance de contact métal/semi-conducteur dans une structure HEMT GaN sous illumination UV

Résumé : Malgré la potentialité des composants de puissance HEMT en nitrure de gallium dans le domaine de l'électronique de puissance, de nombreux problèmes de fiabilité limitent encore les performances électriques théoriquement atteignables et nécessitent donc un effort d'analyse et de compréhension. La caractérisation de la résistance à l'état passant de ces transistors est nécessaire pour comprendre la dynamique de certains phénomènes tels que le piégeage. La dégradation de cette résistance a été toujours attribuée au piégeage dans le canal 2DEG, sans tenir compte des contributions possibles des contacts source et drain (métal/semi-conducteur). Dans ce travail, des mesures de résistance, avec et sans illumination UV, sont effectuées sur deux options technologiques différentes pour mettre en évidence l'effet de l'illumination sur les résistances de contact de certains procédés technologiques.
Document type :
Conference papers
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01838956
Contributor : Dany Hachem <>
Submitted on : Friday, July 13, 2018 - 4:41:32 PM
Last modification on : Friday, January 10, 2020 - 9:10:09 PM
Long-term archiving on: : Monday, October 15, 2018 - 1:24:18 PM

File

Article_SGE_2018_final.pdf
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Identifiers

  • HAL Id : hal-01838956, version 1

Citation

Dany Hachem, David Trémouilles, Frédéric Morancho, Gaëtan Toulon. Variation de la résistance de contact métal/semi-conducteur dans une structure HEMT GaN sous illumination UV. Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Jul 2018, Nancy, France. 4p. ⟨hal-01838956⟩

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