N°Spécial De Revue/Special Issue
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
Année : 2017
Frédéric LEWANDOWSKI : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01830948
Soumis le : jeudi 5 juillet 2018-14:50:51
Dernière modification le : mardi 12 septembre 2023-14:06:26
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01830948 , version 1
- DOI : 10.1088/1757-899X/186/1/012001
Citer
Sarrah Amor, Ali Ahaitouf, Abdelaziz Ahaitouf, Jean-Paul Salvestrini, Abdallah Ougazzaden. Transport mechanisms in Schottky diodes realized on GaN. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, 186, 2017, ⟨10.1088/1757-899X/186/1/012001⟩. ⟨hal-01830948⟩
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