Effects of the GaN layers and the annealing on the electrical properties in the Schottky diodes based on nitrated GaAs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Superlattices and Microstructures Année : 2015

Effects of the GaN layers and the annealing on the electrical properties in the Schottky diodes based on nitrated GaAs

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Christine Robert-Goumet  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Citer

Christine Robert-Goumet, A. Kacha, B. Akkal, Z. Benamara, M. Amrani, et al.. Effects of the GaN layers and the annealing on the electrical properties in the Schottky diodes based on nitrated GaAs. Superlattices and Microstructures, 2015, 83, pp.827 - 833. ⟨10.1016/j.spmi.2015.04.017⟩. ⟨hal-01827592⟩

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