GaSb-based microcavity EP-VCSEL emitting above 2.2µm in CW at RT - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

GaSb-based microcavity EP-VCSEL emitting above 2.2µm in CW at RT

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Electronique

Dauverchain Eric  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01825836

Soumis le : jeudi 28 juin 2018-16:13:30

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01825836 , version 1 (28-06-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01825836 , version 1

Citer

A. Ducanchez, L. Cerutti, P. Grech, F. Genty. GaSb-based microcavity EP-VCSEL emitting above 2.2µm in CW at RT. IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC), 2008, Sorrento, Italy. ⟨hal-01825836⟩

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