Modeling Dose Effects in Electronics Devices: Dose and Temperature Dependence of Power MOSFET

A. Michez (1, 2) , J. Boch (1, 2) , S. Dhombres (1) , F. Saigné (1, 2) , Antoine Touboul (1, 2) , J.-R. Vaillé (1) , L. Dusseau (1, 2, 3) , E. Lorfèvre (4) , R. Ecoffet (4)

1 IES - Institut d’Electronique et des Systèmes
2 RADIAC - Radiations et composants
3 CSU - Centre Spatial Universitaire de Montpellier-Nîmes
4 CNES - Centre National d'Études Spatiales [Toulouse]

Domaines: Electronique

A. Michez, J. Boch, S. Dhombres, F. Saigné, Antoine Touboul, et al.. Modeling Dose Effects in Electronics Devices: Dose and Temperature Dependence of Power MOSFET. ESREF 2013, 2013, Arcachon, France. ⟨hal-01824655⟩