Low frequency noise in p-InAsSbP/n-InAs infrared photodiodes

N. Dyakonova; S Karandashev; M Levinshtein; B Matveev; M Remennyi

doi:10.1088/1361-6641/aac15d

Article Dans Une Revue Semiconductor Science and Technology Année : 2018

Low frequency noise in p-InAsSbP/n-InAs infrared photodiodes

(1) , , , ,

1

N. Dyakonova

Fonction : Auteur

Laboratoire Charles Coulomb

S Karandashev

Fonction : Auteur

M Levinshtein

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B Matveev

Fonction : Auteur

M Remennyi

Fonction : Auteur

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Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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Soumis le : mardi 22 août 2023-09:20:54

Dernière modification le : mardi 22 août 2023-09:20:55

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HAL Id : hal-01818780 , version 1
DOI : 10.1088/1361-6641/aac15d
PII : S1350-4495(21)00239-5

Citer

N. Dyakonova, S Karandashev, M Levinshtein, B Matveev, M Remennyi. Low frequency noise in p-InAsSbP/n-InAs infrared photodiodes. Semiconductor Science and Technology, 2018, 33 (6), ⟨10.1088/1361-6641/aac15d⟩. ⟨hal-01818780⟩

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