TiAl Ohmic Contact on GaN, in Situ High or Low Doped or Si Implanted, Epitaxially Grown on Sapphire or Silicon

Frédéric Cayrel (1) , Olivier Ménard (1) , Arnaud Yvon , Nicolas Thierry-Jébali (2) , Christian Brylinsky , Emmanuel Collard , Daniel Alquier (1)

1 GREMAN - UMR 7347 - GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)
2 LMI - Laboratoire des Multimatériaux et Interfaces

Mots clés: Gallium nitride; Ohmic contacts; specific contact resistance; TEM; power Schottky rectifier

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Frédéric Cayrel, Olivier Ménard, Arnaud Yvon, Nicolas Thierry-Jébali, Christian Brylinsky, et al.. TiAl Ohmic Contact on GaN, in Situ High or Low Doped or Si Implanted, Epitaxially Grown on Sapphire or Silicon. physica status solidi (a), 2012, 209 (6), pp.1059-1066. ⟨10.1002/pssa.201127564⟩. ⟨hal-01810914⟩