Performance and Modeling of Si-Nanocrystal Double-Layer Memory Devices With High-k Control Dielectrics

Guillaume Gay (1) , Gabriel Molas (1) , Marc Bocquet (1, 2) , Eric Jalaguier (1) , Marc Gély (1) , L. Masarotto (1) , J.P Colonna (1) , Helen Grampeix (1) , F. Martin (1) , P. Brianceau (1) , Vincent Vidal (1) , R. Kies (1) , Thierry Baron (1) , Gérard Ghibaudo (2) , Barbara Desalvo (1)

1 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Guillaume Gay, Gabriel Molas, Marc Bocquet, Eric Jalaguier, Marc Gély, et al.. Performance and Modeling of Si-Nanocrystal Double-Layer Memory Devices With High-k Control Dielectrics. IEEE Transactions on Electron Devices, 2012, 59 (4), pp.933 - 940. ⟨10.1109/TED.2012.2182769⟩. ⟨hal-01804667⟩