Study of Pockels effect in strained silicon - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Study of Pockels effect in strained silicon

Domaines

Optique [physics.optics]
Study of Pockels Effect in Strained Silicon.pdf (340.1 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Mathias Berciano  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01802964

Soumis le : jeudi 31 mai 2018-15:22:35

Dernière modification le : jeudi 15 février 2024-03:42:16

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-01802964 , version 1 (31-05-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01802964 , version 1

Citer

Pedro Damas, Mathias Berciano, Xavier Le-Roux, Paul Crozat, Carlos Alonso Ramos, et al.. Study of Pockels effect in strained silicon. EMRS, May 2016, Lille, France. ⟨hal-01802964⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-PARIS-SACLAY UP-SCIENCES GS-PHYSIQUE INSTITUT-SCIENCES-LUMIERE C2N
23 Consultations
13 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More