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Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Comprehensive study into underlying mechanisms of anomalous gate leakage degradation in GaN HEMTs

Mukherjee Kalparupa
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1021869
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Frédéric Darracq
Arnaud Curutchet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 853090
Nathalie Malbert
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Nathalie Labat
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 845366

Domaines

Electronique

Frédéric Darracq  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01787593

Soumis le : lundi 7 mai 2018-16:29:00

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01787593 , version 1 (07-05-2018)

Identifiants

Citer

Mukherjee Kalparupa, Frédéric Darracq, Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat. Comprehensive study into underlying mechanisms of anomalous gate leakage degradation in GaN HEMTs. 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Mar 2018, Burlingham, United States. ⟨10.1109/IRPS.2018.8353581⟩. ⟨hal-01787593⟩

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