Characterization of In-Depth Cavity Distribution after Thermal Annealing of Helium-Implanted Silicon and Gallium Nitride - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2014

Characterization of In-Depth Cavity Distribution after Thermal Annealing of Helium-Implanted Silicon and Gallium Nitride

Balint Fodor
  • Fonction : Auteur
Frédéric Cayrel
GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)
CV
E. Agocs
  • Fonction : Auteur
Daniel Alquier
GREMAN (matériaux, microélectronique, acoustique et nanotechnologies)
M. Fried
  • Fonction : Auteur
P. Petrik
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-01784778

Soumis le : jeudi 3 mai 2018-17:16:05

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:07

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Dates et versions

hal-01784778 , version 1 (03-05-2018)

Identifiants

Citer

Balint Fodor, Frédéric Cayrel, E. Agocs, Daniel Alquier, M. Fried, et al.. Characterization of In-Depth Cavity Distribution after Thermal Annealing of Helium-Implanted Silicon and Gallium Nitride. Thin Solid Films, 2014, 571, pp.567-572. ⟨10.1016/j.tsf.2014.02.014⟩. ⟨hal-01784778⟩

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