Article Dans Une Revue
Acta Materialia
Année : 2015
Christophe THIBAULT : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01784770
Soumis le : jeudi 3 mai 2018-17:15:45
Dernière modification le : vendredi 1 mars 2024-18:20:03
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01784770 , version 1
- DOI : 10.1016/j.actamat.2015.07.052
Citer
Rami Khazaka, Marc Portail, Philippe Vennéguès, Daniel Alquier, Jean-François Michaud. Direct Insight into Grains Formation in Si Layers Grown on 3C-SiC by Chemical Vapor Deposition. Acta Materialia, 2015, 98, pp.336-342. ⟨10.1016/j.actamat.2015.07.052⟩. ⟨hal-01784770⟩
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