K. Frifita, N. M-'sirdi, and E. Baghaz, A. Naamane and M. Boussak Electro-thermal M odel of a of Silicon CarbidePower M OSFET In Proceedings of ICEERE 2018, Saadia-M orocco
URL : https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01966868

J. Brandelero, B. Cougo, N. Thierry-m-eynard, O. Videau, X. Goualard et al., Evaluation des pertes par commutation pour la conception des convertisseurset applications des composants grands gap.symposium de genie electrique (sge'14) : ef-epf-mge, 2014.

L. Abderrazak and T. Driss, The DC Behavioural Electrothermal M odel of

, Silicon Carbide Power M OSFETs under SPICE, IEEE International Conference on Industrial Technology (ICIT), pp.2818-2823, 2015.

T. Shan-yin, K. J. Wang, J. Tseng, X. Zhao, and . Hu, Electro-Thermal M odeling of SiC Power Devices for Circuit Simulation, 2013.

N. Dubuc, modelisation electrothermique de transistors mesfet sic et optimisation d'une architecture doherty pour l'amplification de puissance a haut rendement, 2003.

C. Bucher, C. C. Lallement, and . Enz, An Efficient Parameter

, Extraction M ethodology for the EKV M OST M odel. Proc. 1996 IEEE Int. Conference on M icroelectronic Test Structures, vol.9, pp.26-28, 1996.

N. Bejoy, S. B. Pushpakaran, G. Bayne, and . Wang, John M ookken. fast andaccurate electro-thermal behavioral model of a commercial sic 1200v, 80 m? power mosfet, 2015.

O. Rémy, . Berthou, B. Pierre, O. Sebastien, P. Bevilacqua et al., Etude sur les transistors M OSFETs enCarbure de SiliciumPotentiel d'utilisation dans les Applications Hautes Températures

Z. Chen, Electrical Integration of SiC Power Devices for High-Power-Density Applications, 2013.

T. Santini, Contribution à l'étude de la fiabilité des M OSFETs en carbure de Silicium

R. Ouaida, Vieillissement et mécanismes de dégradation sur des composants de puissance en carbure de silicium (SIC) pour des applications haute température, 2014.