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Communication Dans Un Congrès Année : 2018

State Space Models for Power SiC MOSFET

Représentation d'état pour un MOSFET SiC

Résumé

This paper proposes a State Space Model for a power a Silicon Carbide (SiC) MOSFET. The model uses the electrical EKV MOSFET structure. The model is developed for the SiC MOSFET CMD CREE (V, A) and uses the parameters extracted from datasheet
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MOSFETstateSpaceModelICEEREfinal157.pdf (746.89 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-01779823 , version 1 (27-04-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01779823 , version 1

Citer

Nk M'Sirdi, K Frifita, E Baghaz, A Naamane, M Boussak. State Space Models for Power SiC MOSFET. International Conference on Electronic Engineering and Renewable Energy (ICEERE’2018), Apr 2018, Oujda, Morocco. ⟨hal-01779823⟩
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