Deep reactive ion etching of sub-micrometer trenches with ultra high aspect ratio

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Microelectronic Engineering, Elsevier, 2014, 113, pp.35 - 39. 〈10.1016/j.mee.2013.06.010〉
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Contributeur : Philippe Basset <>
Soumis le : lundi 16 avril 2018 - 18:06:15
Dernière modification le : jeudi 13 septembre 2018 - 15:24:08

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Citation

Jayalakshmi Parasuraman, Anand Summanwar, Frédéric Marty, Philippe Basset, Dan Angelescu, et al.. Deep reactive ion etching of sub-micrometer trenches with ultra high aspect ratio. Microelectronic Engineering, Elsevier, 2014, 113, pp.35 - 39. 〈10.1016/j.mee.2013.06.010〉. 〈hal-01767970〉

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