Electronic structure and stability of the SiO 2+ dications produced in tomographic atom probe experiments

D. Zanuttini; I. Blum; L. Rigutti; F. Vurpillot; J. Douady; E. Jacquet; P.-M. Anglade; B. Gervais

doi:10.1063/1.5001113

Electronic structure and stability of the SiO 2+ dications produced in tomographic atom probe experiments

D. Zanuttini ^{1, 2} I. Blum ¹ L. Rigutti ¹ F. Vurpillot ¹ J. Douady ² E. Jacquet ² P.-M. Anglade ² B. Gervais ²

1 GPM - Groupe de physique des matériaux

2 CIMAP - UMR 6252 - Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique

Type de document :

Article dans une revue

Journal of Chemical Physics, American Institute of Physics, 2017, 147 (16), 〈10.1063/1.5001113〉

Domaine :

Physique [physics] / Matière Condensée [cond-mat] / Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Liste complète des métadonnées

https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01766021
Contributeur : Etienne Talbot <>
Soumis le : vendredi 13 avril 2018 - 11:46:39
Dernière modification le : mardi 24 avril 2018 - 01:37:12

Electronic structure and stability of the SiO 2+ dications produced in tomographic atom probe experiments

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Métriques

33

Contact

Electronic structure and stability of the SiO 2+ dications produced in tomographic atom probe experiments

Identifiants

Collections

Citation

Exporter

Partager

Métriques

33

Contact